A、5
B、10
C、15
D、20
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A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3块
B、100mm×100mm×100mm.2块
C、100mm×100mm×300mm.3块
D、100mm×100mm×400mm.3块
A、最大值
B、最小值
C、算术平均值
D、中间值
A、20
B、30
C、40
D、50
A、8
B、10
C、12
D、13
A、5~8
B、6~10
C、7~9
D、6~12
A、100mm×100mm×100mm
B、100mm×100mm×400mm
C、40mm×40mm×160mm
D、100mm×100mm×300mm
A、10±2
B、20±2
C、10±5
D、20±5
A、电热鼓风干燥箱
B、天平
C、材料试验机
D、恒温水槽
最新试题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
改良西门子法的显著特点不包括()
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()