A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾
B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾
C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾
D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾
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A.不需要坩埚
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C.更易获得高纯度硅
D.成本低
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C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧
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A.氧及其相关缺陷
B.参杂浓度
C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质
D.材料中的缺陷密度及其分布
A.高能耗
B.成本低
C.产量高
D.质量稳定
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
A、6
B、2
C、4
D、5
A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝
A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
最新试题
硅片抛光在原理上不可分为()
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
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