A.头尾料和锅底料中含有的氧
B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧
C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧
D.外界空气的进入
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A.氧及其相关缺陷
B.参杂浓度
C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质
D.材料中的缺陷密度及其分布
A.高能耗
B.成本低
C.产量高
D.质量稳定
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
A、6
B、2
C、4
D、5
A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝
A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;
B、p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;
C、平衡载流子破坏原来的热平衡;
D、非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
最新试题
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
悬浮区熔的优点不包括()
改良西门子法的显著特点不包括()
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
属于晶体缺陷中面缺陷的是()