A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错

A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。

A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm

A、低于
B、等于或大于
C、大于

A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变

A、位错
B、螺旋位错
C、肖特基缺陷
D、层错

A、分凝
B、蒸发
C、坩埚污染
D、损坏

A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

A、3
B、5
C、4
D、2

A、1234
B、123
C、1456
D、4567