原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

单项选择题原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

A.减小，减小
B.减小，增大
C.增大，增大
D.增大，减小

1.单项选择题下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）

A.漂移迁移率
B.电导迁移率
C.霍尔迁移率
D.磁阻迁移率

2.单项选择题下列哪个不是单晶常用的晶向（）

A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）

3.单项选择题PN结的基本特性是（）

A.单向导电性
B.半导性
C.电流放大性
D.绝缘性

4.单项选择题光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。

A.光子效应
B.霍尔效应
C.热电效应
D.压电效应

5.单项选择题在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称（）

A.光电效应
B.光生伏特效应
C.内光电效应
D.外光电效应

6.单项选择题硅片抛光在原理上不可分为（）

A.机械抛光法
B.化学抛光法
C.手工抛光法
D.机械--化学抛光法

7.单项选择题可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

8.单项选择题热处理中氧沉淀的形态不包括（）

A.球状沉淀
B.片状沉淀
C.棒状沉淀
D.多面体沉淀

9.单项选择题CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）

A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾
B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾
C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾
D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾

10.单项选择题悬浮区熔的优点不包括（）

A.不需要坩埚
B.避免了容器污染
C.更易获得高纯度硅
D.成本低