单项选择题表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
A、施主态
B、受主态
C、电中性
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1.单项选择题最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
A、EA,
B、ED,
C、EF,
D、Ei
2.单项选择题载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
A、漂移
B、隧道
C、扩散
3.单项选择题把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
A.改变禁带宽度;
B.产生复合中心;
C.产生空穴陷阱;
D.产生等电子陷阱。
4.单项选择题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
A.非本征
B.本征
5.单项选择题一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
A.1/4;
B.1/e;
C.1/e2;
D.1/2
6.单项选择题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
7.单项选择题原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
A.减小,减小
B.减小,增大
C.增大,增大
D.增大,减小
8.单项选择题下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
A.漂移迁移率
B.电导迁移率
C.霍尔迁移率
D.磁阻迁移率
9.单项选择题下列哪个不是单晶常用的晶向()
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
10.单项选择题PN结的基本特性是()
A.单向导电性
B.半导性
C.电流放大性
D.绝缘性
最新试题
下列哪个不是单晶常用的晶向()
题型:单项选择题
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
题型:单项选择题
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
题型:单项选择题
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
题型:单项选择题
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
题型:单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
题型:单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
题型:单项选择题
可用作硅片的研磨材料是()
题型:单项选择题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
题型:单项选择题