可用作硅片的研磨材料是（）

单项选择题可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

1.单项选择题热处理中氧沉淀的形态不包括（）

A.球状沉淀
B.片状沉淀
C.棒状沉淀
D.多面体沉淀

2.单项选择题CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）

A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾
B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾
C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾
D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾

3.单项选择题悬浮区熔的优点不包括（）

A.不需要坩埚
B.避免了容器污染
C.更易获得高纯度硅
D.成本低

4.多项选择题铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）

A.钝化晶界
B.钝化错位
C.钝化电活性杂质

5.单项选择题铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）

A.头尾料和锅底料中含有的氧
B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧
C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧
D.外界空气的进入

6.单项选择题制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）

A.氧及其相关缺陷
B.参杂浓度
C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质
D.材料中的缺陷密度及其分布

7.单项选择题改良西门子法的显著特点不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.产量高
D.质量稳定

8.单项选择题多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法

A、1234
B、123
C、2457
D、4567

9.单项选择题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

10.单项选择题那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝