铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）

多项选择题铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）

A.钝化晶界
B.钝化错位
C.钝化电活性杂质

1.单项选择题铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）

A.头尾料和锅底料中含有的氧
B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧
C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧
D.外界空气的进入

2.单项选择题制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）

A.氧及其相关缺陷
B.参杂浓度
C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质
D.材料中的缺陷密度及其分布

3.单项选择题改良西门子法的显著特点不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.产量高
D.质量稳定

4.单项选择题多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法

A、1234
B、123
C、2457
D、4567

5.单项选择题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

6.单项选择题那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝

7.单项选择题下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长

8.单项选择题用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

9.单项选择题属于晶体缺陷中面缺陷的是（）

A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错

10.单项选择题简述光生伏特效应中正确的是（）

A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。