与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

单项选择题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

A、比半导体的大
B、比半导体的小
C、与半导体的相等

1.单项选择题表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；

A、施主态
B、受主态
C、电中性

2.单项选择题最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。

A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei

3.单项选择题载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。

A、漂移
B、隧道
C、扩散

4.单项选择题把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。

A.改变禁带宽度；
B.产生复合中心；
C.产生空穴陷阱；
D.产生等电子陷阱。

5.单项选择题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

A.非本征
B.本征

6.单项选择题一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2

7.单项选择题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；

A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤

8.单项选择题原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

A.减小，减小
B.减小，增大
C.增大，增大
D.增大，减小

9.单项选择题下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）

A.漂移迁移率
B.电导迁移率
C.霍尔迁移率
D.磁阻迁移率

10.单项选择题下列哪个不是单晶常用的晶向（）

A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）