下列是晶体的是（）。

单项选择题下列是晶体的是（）。

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料

1.单项选择题只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。

A.线缺陷
B.面缺陷
C.点缺陷
D.体缺陷

2.单项选择题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

A.非平衡载流子浓度成正比；
B.平衡载流子浓度成正比；
C.非平衡载流子浓度成反比；
D.平衡载流子浓度成反比。

3.单项选择题在通常情况下，GaN呈（）型结构。

A.纤锌矿型；
B.闪锌矿型；
C.六方对称性；
D.立方对称性

4.单项选择题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。

A.施主
B.受主
C.复合中心
D.两性杂质

5.单项选择题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

A.变大，变小
B.变小，变大
C.变小，变小
D.变大，变大

6.单项选择题如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的复合中心

7.单项选择题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

A、比半导体的大
B、比半导体的小
C、与半导体的相等

8.单项选择题表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；

A、施主态
B、受主态
C、电中性

9.单项选择题最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。

A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei

10.单项选择题载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。

A、漂移
B、隧道
C、扩散