A、6
B、2
C、4
D、5
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A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝
A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;
B、p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;
C、平衡载流子破坏原来的热平衡;
D、非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变
A、位错
B、螺旋位错
C、肖特基缺陷
D、层错
A、分凝
B、蒸发
C、坩埚污染
D、损坏
最新试题
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
PN结的基本特性是()
可用作硅片的研磨材料是()
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
在通常情况下,GaN呈()型结构。