A、6
B、2
C、4
D、5
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A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝
A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;
B、p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;
C、平衡载流子破坏原来的热平衡;
D、非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变
A、位错
B、螺旋位错
C、肖特基缺陷
D、层错
A、分凝
B、蒸发
C、坩埚污染
D、损坏
最新试题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
下列哪个不是单晶常用的晶向()
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
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