A、1234
B、123
C、1456
D、4567
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A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长
A.调整晶体生长的热系统,使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数,例如对于凸向熔体的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速,调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化学清洗
B.rCA清洗
C.超声波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
A.固相生长
B.液相生长
C.气相生长
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
A、线缺陷
B、面缺陷
C、点缺陷
D、体缺陷
最新试题
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
PN结的基本特性是()
悬浮区熔的优点不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
热处理中氧沉淀的形态不包括()
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
硅片抛光在原理上不可分为()