A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化学清洗
B.rCA清洗
C.超声波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
A.固相生长
B.液相生长
C.气相生长
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
A、线缺陷
B、面缺陷
C、点缺陷
D、体缺陷
A、半导体
B、导体
C、绝缘体
最新试题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
悬浮区熔的优点不包括()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
PN结的基本特性是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。