下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）

与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

属于晶体缺陷中面缺陷的是（）

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

硅片抛光在原理上不可分为（）

直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。