杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。

直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。

对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

热处理中氧沉淀的形态不包括（）

下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）