单项选择题晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）
A.固相生长
B.液相生长
C.气相生长
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1.单项选择题下列是晶体的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
2.单项选择题只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）
A、线缺陷
B、面缺陷
C、点缺陷
D、体缺陷
3.单项选择题硅单质是（）
A、半导体
B、导体
C、绝缘体
4.问答题简述影响碳酸钙分解速度的因素。
5.问答题简述如何选择陶瓷的成方法？
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多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法
题型：单项选择题
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
题型：单项选择题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
题型：单项选择题
下列是晶体的是（）。
题型：单项选择题
热处理中氧沉淀的形态不包括（）
题型：单项选择题
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
题型：单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
题型：单项选择题
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）
题型：单项选择题
载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。
题型：单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；
题型：单项选择题