A.调整晶体生长的热系统,使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数,例如对于凸向熔体的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速,调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
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A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化学清洗
B.rCA清洗
C.超声波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
A.固相生长
B.液相生长
C.气相生长
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
A、线缺陷
B、面缺陷
C、点缺陷
D、体缺陷
A、半导体
B、导体
C、绝缘体
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