直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

单项选择题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

A、3
B、5
C、4
D、2

1.单项选择题多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法

A、1234
B、123
C、1456
D、4567

2.单项选择题如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）

A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

3.单项选择题关于晶体下列说法错误的是（）

A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值

4.单项选择题硅片制备主要工艺流程是（）

A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

5.单项选择题半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅

A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④

6.单项选择题在工业生产中广泛用的是（）

A.化学清洗
B.rCA清洗
C.超声波清洗

7.单项选择题对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多

8.单项选择题在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（）以上。

A.90%
B.92%
C.95%
D.97%

9.单项选择题晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）

A.固相生长
B.液相生长
C.气相生长

10.单项选择题下列是晶体的是（）

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料