串联型晶体管稳压电路基本组成部分有（）

单项选择题串联型晶体管稳压电路基本组成部分有（）

A、分压电路、比较放大、基准电压、取样电路
B、调整管、比较放大、分压电路、取样电路
C、调整管、分压电路、基准电压、取样电路
D、调整管、比较放大、基准电压、取样电路

1.单项选择题集成有源滤波器的组成，一般由集成电路和（）

A、电感与电容
B、电容与电阻
C、电感与电阻
D、电容与变压器

2.单项选择题提高放大器的输入电阻和稳定输出电压，则应选用（）

A、电压串联负反馈
B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈
D、电流并联负反馈

3.单项选择题集成运放的开环电压增益非常高，这些参数接近理想化的程度。（）

A、输入电阻很大，输出电阻很小
B、输入电阻输出电阻均很大
C、输入电阻很小，输出电阻很大
D、输入电阻输出电阻均很小

4.单项选择题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）

A、结型场效应晶体管，简称JFET
B、绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET
C、结型场效应晶体管JGFET
D、绝缘栅型场效应晶体管JGFET

5.单项选择题场效应晶体管与晶体三极管比较，其突出优点是（）

A.噪声低、输入阻抗低
B.热稳定性好、输入阻抗低
C.噪声低、输入阻抗高
D.噪声低、热稳定性差

6.单项选择题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）

A、P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

7.单项选择题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）

A、P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

8.单项选择题直接耦合多级放器存在现象（）。

A、只能通高频信号
B、零点漂移
C、只能通直流信号
D、只能通交流信号

9.单项选择题变压器耦合多级放器只能传递或放大（）

A、直流信号和交流信号
B、直流信号
C、直流信号和变化缓慢的交流信号
D、交流信号

10.单项选择题阻容耦合多级放器能传递或放大（）

A、直流信号和交流信号
B、直流信号
C、直流信号和变化缓慢的交流信号
D、交流信号