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多项选择题

利用CVD的方法制造多晶Si膜，常压CVD需要900℃，采用低压CVD可以（）。

A.加快沉积速度
B.少量降低温度
C.提高膜的均匀性
D.提高膜的稳定性

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单项选择题

磁控溅射电磁场是如何分布的？（）

A.电场磁场相互平行，电场垂直于靶表面，磁场垂直于靶表面
B.电场磁场相互垂直，电场垂直于靶表面，磁场平行于靶表面
C.电场磁场相互垂直，电场平行于靶表面，磁场垂直于靶表面
D.电场磁场相互平行，电场平行于靶表面，磁场平行于靶表面
单项选择题

溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是（）。

A.直流二极溅射
B.射频二极溅射
C.磁控溅射
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