填空题吸收量M与投射的辐射线量E的比率称为()。
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2.单项选择题面阵CCD主要是通过()工作。
A.电荷
B.电压
C.电流
D.电阻
3.单项选择题可产生太赫兹辐射的光源是()。
A.氙灯
B.CO2激光器
C.氦氖激光器
D.飞秒脉冲激光器
4.单项选择题光通量是辐射通量的()倍。
A.683
B.1/683
C.863
D.1/863
5.单项选择题半导体结中并不存在()。
A.PN结
B.PIN结
C.肖特基结
D.光电结
6.单项选择题像管中()的出现和使用,成为了第一代像管出现的标志性部件。
A.负电子亲和势阴极
B.电子光学系统
C.微通道板MCP
D.光纤面板
7.单项选择题在光电倍增管中,产生光电效应的是()。
A.阴极
B.阳极
C.倍增极
D.玻璃窗
8.单项选择题光的发射,属于受激发射的器件是()。
A.LD
B.LED
C.CCD
D.PMT
9.单项选择题硅光电二极管与硅光电池比较,前者()。
A.掺杂浓度低
B.电阻率低
C.零偏工作
D.光敏面积大
10.单项选择题波长为1mm的波属于()。
A.远红外线
B.太赫兹波
C.可见光
D.X射线
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以下主要利用光电子发射效应的光电器件有()。
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以下不属于光纤干涉仪的有()。
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