判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
最新试题
从设计的观点出发,版图设计规则应包括哪些部分?
题型:问答题
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
题型:多项选择题
20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是()。
题型:多项选择题
目前集成电路版图设计的主流工具有哪些?
题型:问答题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
题型:问答题
把半导体级硅的多晶硅块,转换成一块大的单晶硅的过程,称作()。生长后的单晶硅被称为()。
题型:单项选择题
集成电容主要有几种结构?
题型:问答题
集成电路电阻可以通过()产生。
题型:多项选择题
晶体管的名字取自于()和()两词。
题型:多项选择题
半导体工艺技术中,器件互连材料通常包括()等。
题型:多项选择题