利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个...

问答题利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知C_ox＝5×10^-4pF/μm²，估算栅极电容。

1.问答题集成电容主要有几种结构？

2.问答题什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。

3.问答题试用电导率为10²/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

4.问答题什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

5.问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

6.问答题说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

7.问答题MOS器件存在哪些二阶效应？

8.问答题什么是MOS器件的体效应？

9.问答题 图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

10.问答题试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。