什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？_考试资料网

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问答题什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

参考答案：

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1.问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

参考答案：若MOS器件按比例因子α缩小后，器件速度得意提高、功耗减小、芯片面积减小集成度提高。

2.问答题说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

参考答案：MOS器件噪声的来源：
A.热噪声，由沟道内载流子无规则运动引起，可通过增加MOS的栅宽和偏置电流来减小。

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3.问答题MOS器件存在哪些二阶效应？

参考答案：二阶效应包括：短沟道效应，窄沟道效应，迁移率退化，沟道长度调制效应，静电反馈效应等。

4.问答题什么是MOS器件的体效应？

参考答案：MOS工艺中，N管衬底接最低电位，P管衬底接最高电位；但它们的源极却未必与衬底电位相同，于是源衬存在电压差，这个电压差将...

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5.问答题 图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

参考答案：

6.问答题试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。

参考答案：当MOS工艺发展到亚微米、深亚微米水平后，必须考虑二阶效应。这时，随着沟道长度L的减小，阈值电压将减小；随着沟道宽度W的...

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7.问答题什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？

参考答案：阈值电压V_t是使半导体表面达到强反型所需加的栅极电压。它受衬底掺杂浓度、体效应、半导体材料的费米势等的影响。

8.问答题已知突变PN结零偏势垒电容为3pF，内建势垒电压为0.5V，计算10V反偏电压时的势垒电容。

参考答案：

9.问答题与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？

参考答案：与CMOS工艺相比，GaAs工艺具有速度高、噪声小、驱动能力强的优点。但其缺点是价格高、功耗大、成品率低。

10.问答题GaAs HEMT与MESFET的主要区别是什么？

参考答案：HEMT也属于FET的一种，它有与MESFET相似的结构。HEMT与MESFET之间的区别在于有源层。