在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。_考试资料网

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问答题 在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M₄的漏电流。

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1.问答题 根据图，给出M₂管的漏极电流表达式。

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2.问答题目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

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3.问答题为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

参考答案：合理布置电源接触孔，减小横向电流密度和横向电阻。采用伪收集极。采用保护环。

4.问答题编写DRC版图验证文件的主要依据是什么？

参考答案：工艺文件中的层次定义和给定的版图设计规则。

5.问答题版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？

参考答案：DRC：检查版图中同层、不同层间图形的线宽、间距是否满足工艺的最小尺寸要求。
ERC：检查版图中是否存在开路、短...

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6.问答题从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

参考答案：从设计的观点出发，设计规则可以分为三部分：
A.决定几何特征和图形的几何规定，这些规定保证各个图形被此之间具有正...

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7.问答题规定版图几何设计规则的意义是什么？

参考答案：版图几何设计规则为电路设计师和工艺工程师提供了一种必要的信息联系。其主要目标是获得有最佳成品率的电路，而几何尺寸则尽可能...

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8.问答题版图设计的基本前提是什么？

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9.问答题比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

参考答案：砷化镓和磷化铟等衬底为半绝缘体，硅衬底为半导体。因此，硅衬底上电感有衬底损耗电阻和电容。

10.问答题试述两种传输线电感，比较其优缺点。

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