A.淬火+低温回火
B.淬火+中温回火
C.调质
D.调质后表面淬火
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A.M
B.M+A残
C.M+B下+A残
D.M+T+A残
A.低于Ac1温度
B.高于Ac1温度而低于Ac3温度
C.等于Ac3温度
D.Ac3+30至50度
A.一次渗碳体
B.二次渗碳体
C.三次渗碳体
D.一次渗碳体和二次渗碳体
A.完全退火
B.再结晶退火
C.等温退火
D.去应力退火
A.不会在恒温下结晶
B.不会发生相变
C.都能进行形变强化
D.都能进行时效强化
A.其晶粒形状会改变
B.其机械性能会发生改变
C.其晶格类型会发生改变
D.其晶粒大小会发生改变
A.约40%
B.约4%
C.约0.4%
D.约0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低温正火
B.高温正火
C.高温退火
D.等温退火
A.高强度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
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最新试题
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
热处理中氧沉淀的形态不包括()
在通常情况下,GaN呈()型结构。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
改良西门子法的显著特点不包括()
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。