A.淬火+低温回火
B.淬火+中温回火
C.调质
D.调质后表面淬火
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A.M
B.M+A残
C.M+B下+A残
D.M+T+A残
A.低于Ac1温度
B.高于Ac1温度而低于Ac3温度
C.等于Ac3温度
D.Ac3+30至50度
A.一次渗碳体
B.二次渗碳体
C.三次渗碳体
D.一次渗碳体和二次渗碳体
A.完全退火
B.再结晶退火
C.等温退火
D.去应力退火
A.不会在恒温下结晶
B.不会发生相变
C.都能进行形变强化
D.都能进行时效强化
A.其晶粒形状会改变
B.其机械性能会发生改变
C.其晶格类型会发生改变
D.其晶粒大小会发生改变
A.约40%
B.约4%
C.约0.4%
D.约0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低温正火
B.高温正火
C.高温退火
D.等温退火
A.高强度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
最新试题
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
在通常情况下,GaN呈()型结构。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
属于晶体缺陷中面缺陷的是()