在通常情况下，GaN呈（）型结构。

影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；

下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

悬浮区熔的优点不包括（）

光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。  

如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。

制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）

铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）

那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。