最新试题
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
题型:单项选择题
热处理中氧沉淀的形态不包括()
题型:单项选择题
硅片抛光在原理上不可分为()
题型:单项选择题
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
题型:单项选择题
PN结的基本特性是()
题型:单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
题型:单项选择题
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
题型:单项选择题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
题型:单项选择题
改良西门子法的显著特点不包括()
题型:单项选择题