A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
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你可能感兴趣的试题
A.同一墙体的各测点之间,水平方向净距不应小于0.62m,垂直方向净距不应小于0.5m
B.每个测区随机布置的,n个测点,在墙体两面的数量宜接近或相等。以一块完整的顺砖及其上下两条水平灰缝作为一个测点(试件)
C.试件两个受剪面的水平灰缝厚度应为6~10mm
D.下列部位不应布设测点:门、窗洞口侧边120mm范围内,后补的施工洞口和经修补的砌体;独立砖柱和窗间墙
A.3处
B.4处
C.5处
D.6处
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
A.5万块
B.10万块
C.15万块
D.20万块
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
A.属原位检测,直接在墙体上测试,测试结果综合反映了材料质量和施工质
B.直观性,可比性强
C.砌体强度较高或轴向变形较大时,容易测出抗压强度
D.检测部位局部破损
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
最新试题
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
在通常情况下,GaN呈()型结构。
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
热处理中氧沉淀的形态不包括()
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
改良西门子法的显著特点不包括()