名词解释9SiCr
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.名词解释50CrVA
2.名词解释1Cr13
3.名词解释表面淬火
4.单项选择题组成合金的最基本独立物质称为()。
A、相
B、组元
C、组织
D、以上答案都对
5.单项选择题刚在热加工后形成纤维组织,使刚的性能发生变化,即沿纤维的方向具有较高的(),沿垂直于纤维的方向具有较高的抗剪强度。
A、抗拉强度
B、抗弯强度
C、抗剪强度
D、以上答案都对
6.单项选择题冷热加工的区别在于加工后是否存在()。
A.加工硬化
B.晶格改变
C.纤维组织
D.以上答案都对
7.单项选择题再结晶和重结晶都有晶核的形成和晶核的长大两个过程,它们的主要区别在于是否有()的改变。
A、温度
B、晶体结构
C、应力状态
D、以上答案都对
8.单项选择题做疲劳试验时,试样承受的载荷为()。
A、静载荷
B、冲击载荷
C、交变载荷
D、以上答案都对
最新试题
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
题型:单项选择题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
题型:单项选择题
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
题型:单项选择题
改良西门子法的显著特点不包括()
题型:单项选择题
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
题型:单项选择题
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
题型:单项选择题
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
题型:单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
PN结的基本特性是()
题型:单项选择题
硅片抛光在原理上不可分为()
题型:单项选择题