场效应管放大电路如图所示，其中Rg1=300Wk，Rg2=120Wk，Rg3=10WM，Rs=Rd=10kΩ，CS的容量足够大，VDD＝16V，设FET的饱和电流IDSS=1mA，夹断电压Up=UGS（off）（off） = －2V，求静态工作点，然后用中频微变等效电路法求电路的电压放大倍数。若CS开路再求电压放大倍数。
电路如图所示，已知Rd=10kΩ，Rs=R=0.5kΩ，Rg1=165 kΩ，Rg2=35kΩ，UGS（th=1V，IDO =1mA，电路静态工作点处UGS=1.5V。试求共源极电路的小信号电压增益Au=uo/ui和源电压增益Aus=uo/us。
电路如图所示，设MOS管的参数为UGS（th）=1V，IDO =500uA。电路参数为VDD=5V，－VSS=－5V，Rd=10kΩ，R=0.5kΩ，IDQ=0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流是IDQ的1/10，试确定Rg1和Rg2的值。
已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和Au。
两个场效应管的转移特性曲线分别如图 （a）、（b）所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
最新试题
下面哪项不是PN结加正向电压时的特性？（）
电路如图所示，下列哪项不正确？（）
关于恒压降模型，下列哪一个说法不正确？（）
电路如图所示，下列哪个选项是正确的？（）
电路如图所示。求（）。
关于运放，以下哪个说法是正确的？（）
关于空穴，下面哪一项不正确？（）
关于理想运放，下面哪一项不正确？（）
放大电路中负载电阻所获得的能量取自于有源元件。
