电路如图所示，下列哪项不正确？（）

单项选择题电路如图所示，下列哪项不正确？（）

A.二极管正向导通，电流与电压呈现指数关系
B.二极管是一种线性元件
C.若已知二极管的伏安特性曲线，根据作图法，能求得二极管的Q点
D.对于电路有i_D=（V_DD-v_D）/R

1.单项选择题关于锗二极管，下列哪项不正确？（）

A.锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时，电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时，会形成反向饱和电流，相当于二极管导通

2.单项选择题下面哪项不是PN结加正向电压时的特性？（）

A.大的正向扩散电流
B.PN结导通
C.低电阻
D.高电阻

3.单项选择题关于空间电荷，下列哪一项不正确？（）

A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动，称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动

4.单项选择题关于N型半导体，下列哪项不正确？（）

A.N型半导体，自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中，自由电子是多子
C.N型半导体中，空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成

5.单项选择题关于空穴，下面哪一项不正确？（）

A.半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一个带正电的粒子，电量与电子相等
C.可以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流
D.硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚（相同情况）

6.单项选择题电路如图所示。求（）。

A.R₁/R₂
B.R₂/R₁
C.-R₁/R₂
D.-R₂/R₁

7.单项选择题电路如图所示。求（）。

A.4
B.3
C.2
D.1

8.单项选择题关于运放，以下哪个说法是正确的？（）

A.输出级是为了电压的放大
B.有一个输入端和一个输出端
C.为了得到虚短和虚断，需要引入负反馈
D.反相放大电路的等效输入电阻为无穷大

9.单项选择题电路如图所示，下列哪个选项是正确的？（）

A.从同相端看进去的等效输入电阻为0
B.从同相端看进去的等效输入电阻为R₂
C.从同相端看进去的等效输入电阻为无穷大
D.从同相端看进去的等效输入电阻为R₁

10.单项选择题电路如图所示，从同相端看进去的等效输入电阻是多少？（）

A.R₂
B.R₃
C.R₁
D.R₂+R₃