A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通
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A.大的正向扩散电流
B.PN结导通
C.低电阻
D.高电阻
A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动,称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动
A.N型半导体,自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中,自由电子是多子
C.N型半导体中,空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成
A.半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一个带正电的粒子,电量与电子相等
C.可以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流
D.硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚(相同情况)
电路如图所示。求()。
A.R1/R2
B.R2/R1
C.-R1/R2
D.-R2/R1
电路如图所示。求()。
A.4
B.3
C.2
D.1
A.输出级是为了电压的放大
B.有一个输入端和一个输出端
C.为了得到虚短和虚断,需要引入负反馈
D.反相放大电路的等效输入电阻为无穷大
电路如图所示,下列哪个选项是正确的?()
A.从同相端看进去的等效输入电阻为0
B.从同相端看进去的等效输入电阻为R2
C.从同相端看进去的等效输入电阻为无穷大
D.从同相端看进去的等效输入电阻为R1
电路如图所示,从同相端看进去的等效输入电阻是多少?()
A.R2
B.R3
C.R1
D.R2+R3
A.输入端的电流趋向于0
B.线性区的范围很小
C.输出电阻趋向于0
D.输入电阻趋向于0
最新试题
这是一个什么电路?()
电路如图所示,电源VDD等于1V,电阻R等于10KΩ的时,若用恒压降模型(硅0.7V)来求解二极管两端所对应和电流()。
放大电路的输入电阻与信号源内阻无关。
直接耦合放大电路只能放大变化缓慢的信号。
电路如图所示,其等效输出电阻为()。
下面哪项不是PN结加正向电压时的特性?()
下面哪个不是放大器所需要讨论的内容?()
电路如图所示,其中哪两个器件构成了镜像电流源?()
以下关于模拟信号与数字信号的概念哪个是不对的?()
放大电路中负载电阻所获得的能量取自于有源元件。