A.衡量特性/参数
B.电路模型的抽取
C.与信号源、负载的匹配情况
D.外观设计
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电路如图所示,其中哪两个器件构成了镜像电流源?()
A.T1和T4
B.T1和T3
C.T1和T2
D.T3和T2
电路如图所示,其等效输出电阻为()。
A.Rd1
B.Rd2
C.Rd1//RL
D.Rd1//Rd2
A.在低频区,结电容、极间电容可视为短路
B.在中频区,耦合电容、旁路电容视为短路
C.在高频区,耦合电容、旁路电容视为短路
D.在高频区,结电容、极间电容不可视为开路
A.Cb'c
B.Cb'e
C.Cgs
D.Cgd
A.主要工作在反向电击穿的状态
B.在它的正常工作区域内电流的变化很大
C.当反向电流小于一定值时,它的稳压效果不好,稳压特性消失
D.其动态电阻越大,它的稳压特性会越好
A.二极管的小信号模型就是一个电阻
B.小信号模型中的微变等效电阻与静态工作点有关
C.当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越小
D.当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越大
电路如图所示,电源VDD等于1V,电阻R等于10KΩ的时,若用恒压降模型(硅0.7V)来求解二极管两端所对应和电流()。
A.1mA
B.0.03mA
C.0.07mA
D.0mA
A.对于二极管的理想模型,正向通电时,导通管压降为零
B.对于二极管的理想模型,反向偏置时,二极管相当于一根导线
C.恒压降模型就是在二极管的理想模型上加了一个电压源
D.对于恒压降模型,当二极管导通后,认为管压降是0.7V
电路如图所示,下列哪项不正确?()
A.二极管正向导通,电流与电压呈现指数关系
B.二极管是一种线性元件
C.若已知二极管的伏安特性曲线,根据作图法,能求得二极管的Q点
D.对于电路有iD=(VDD-vD)/R
A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通
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