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A.衡量特性/参数
B.电路模型的抽取
C.与信号源、负载的匹配情况
D.外观设计
电路如图所示,其中哪两个器件构成了镜像电流源?()
A.T1和T4
B.T1和T3
C.T1和T2
D.T3和T2
电路如图所示,其等效输出电阻为()。
A.Rd1
B.Rd2
C.Rd1//RL
D.Rd1//Rd2
A.在低频区,结电容、极间电容可视为短路
B.在中频区,耦合电容、旁路电容视为短路
C.在高频区,耦合电容、旁路电容视为短路
D.在高频区,结电容、极间电容不可视为开路
A.Cb'c
B.Cb'e
C.Cgs
D.Cgd
A.主要工作在反向电击穿的状态
B.在它的正常工作区域内电流的变化很大
C.当反向电流小于一定值时,它的稳压效果不好,稳压特性消失
D.其动态电阻越大,它的稳压特性会越好
A.二极管的小信号模型就是一个电阻
B.小信号模型中的微变等效电阻与静态工作点有关
C.当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越小
D.当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越大
电路如图所示,电源VDD等于1V,电阻R等于10KΩ的时,若用恒压降模型(硅0.7V)来求解二极管两端所对应和电流()。
A.1mA
B.0.03mA
C.0.07mA
D.0mA
最新试题
关于锗二极管,下列哪项不正确?()
关于理想运放,下面哪一项不正确?()
若在P型半导体中通过一定的工艺掺入足够量的五价元素,则可变为N型半导体。
在温度升高时,晶体三极管的极间反向电流和电流放大倍数都将增大。
电路如图所示,电源VDD等于1V,电阻R等于10KΩ的时,若用恒压降模型(硅0.7V)来求解二极管两端所对应和电流()。
下面哪一项不是集成运放的特点?()
放大电路的特征是负载上获得比输入大得多的电压。
场效应管比晶体三极管的噪声小,是因为在其导通时只有一种载流子运动。
电路如图所示,其等效输出电阻为()。
关于空间电荷,下列哪一项不正确?()