单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。
A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区
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1.单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
2.单项选择题如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
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