稽纳二极管崩溃电压的温度系数（）

单项选择题稽纳二极管崩溃电压的温度系数（）

A.等于零
B.大于零
C.小于零
D.不一定

1.单项选择题二极管之逆向饱和电流通常会随温度之上升而？（）

A.变大
B.变小
C.无变化
D.不一定

2.单项选择题理想二极管接上逆向偏压后，其性质如同（）

A.超导体
B.良导体
C.半导体
D.绝缘体

3.单项选择题在纯硅晶体中，掺入施体杂质，则（）

A.电子数目减少
B.电洞数目减少
C.此施体杂质是三价元素
D.导电率变差

4.单项选择题 二极管的顺向导通电流方程式为？（）

A.（1）
B.（2）
C.（3）
D.（4）

5.单项选择题下列何者具负电阻特性？（）

A.稽纳二极管
B.透纳二极管
C.萧特基二极管
D.恒流二极管

6.单项选择题 如图所示的符号为何种组件（）

A.隧道二极管
B.稽纳二极管
C.变容二极管
D.PN二极管

7.单项选择题二极管接逆向偏压时，存在一个逆向饱和电流I_s，关于Is的叙述下列何者正确？（）

A.与温度成正比
B.与温度成反比
C.与逆向偏压成正比
D.与顺向偏压成正比

8.单项选择题若有一硅二极管，常温（25℃）时逆向饱和电流Io为10 A，则75℃时其漏电流为（）

A.0.03mA
B.0.05mA
C.0.32mA
D.0.5mA

9.单项选择题一般PN二极管，其杂质浓度比约为（）

A.1：10³
B.1：10⁵
C.1：10⁸
D.1：10¹²

10.单项选择题二极管若加顺向偏压（）

A.空乏区宽度减小，等效电容变大
B.空乏区宽度减小，等效电容变小
C.空乏区宽度增加，等效电容变大
D.空乏区宽度增加，等效电容变小