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填空题
为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升,在高剂量、大束流离子注入时,可以采用()扫描方式,在低剂量、小束流时一般用()方式注入。
答案:
混合;全电扫描
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离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用(),N型掺杂的源气常用()和()。对GaAs做N型掺杂的源气常用()
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BF
3
;PH
5
;AsH
5
;SiH
4
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填空题
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答案:
沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象;硅片相对注入束偏转5-7°的注入角;表面生长氧化层;硅注入表面...
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