单项选择题

通过定域、定量扩散掺杂，不能实现的目的是：（）。

A.改变半导体导电类型
B.改变电阻率
C.形成PN结
D.形成隔离

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单项选择题

与湿法腐蚀比较，以下是干法刻蚀的优点是：（）。

A.设备简单
B.保真度好，图形分辨率高
C.速度快
D.高选择比

单项选择题

集成电路制造工艺中对刻蚀的要求包括：能得到想要的形状（斜面还是垂直图形）；过腐蚀最小（一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全）；（）；均匀性和重复性好；表面损伤小和清洁、经济、安全等。

A.各向同性好
B.刻蚀速率快
C.选择性好
D.各向异性好