A.R×100/防止过压反响击穿二极管
B.R×100/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
C.R×1/防止过压反响击穿二极管
D.R×1/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
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A.大/阴
B.小/阴
C.小/阳
D.大/阴或小/阳
A.0.1~0.2V/0.3V
B.0.2~0.3V/0.7V
C.0.3~0.5V/0.7V
D.0.5V/0.7V
A.0.1V/0.5V
B.0.2V/0.5V
C.0.5V/0.7V
D.0.5V/1.0V
A.死区电压
B.击穿电压
C.截止电压
D.峰值电压
A.正向电阻很小
B.无论加多大的反向电压,都不会导通
C.未被反向击穿前,反向电阻很大
D.所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通
A.整流功能
B.滤波功能
C.钳位功能
D.小范围稳压功能
A.P端接+5V,N端通过一电阻接+7V
B.N端接+2V,P端通过一电阻接+7V
C.P端接-3V,N端通过一电阻接+7V
D.P端接+1V,N端通过一电阻接+6V
A.为零
B.增大
C.减小
D.视光强确定
A.具有放大特性
B.具有单向导电性
C.具有改变电压特性
D.具有增强内电场特性
A.温度提高导电能力提高
B.有两种载流子
C.电阻率很小,接近金属导体
D.参杂质后导电能力提高
最新试题
在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现饱和失真。为了改善失真波形,方便的做法是应()。
关于晶闸管的下列说法错误的是()。
关于晶闸管应用的下列说法错误的是()。
关于集成运放的下列说法,正确的是()。
理想的运算放大器应具有的特性是()。(Au开环电压放大倍数,ri输入电阻,r0输出电阻)
晶闸管关断条件是()。
可控硅关断的条件是()。
可控硅导通的条件是()。
对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做法是()。
晶闸管的结构是()。