A.位错不一定是直线
B.位错是已滑移区和未滑移区的边界
C.位错可以中断于晶体内部
D.位错不能中断于晶体内部
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A.间隙和空位质点同时成对出现
B.正离子空位和负离子空位同时成对出现
C.正离子间隙和负离子间隙同时成对出现
D.正离子间隙和位错同时成对出现
A.正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小
B.正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
C.正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
D.正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
A.外力
B.热应力
C.化学力
D.结构应力
A.杂质质点大小
B.晶体(基质)结构
C.电价因素
D.A+B+C
A.线性增加
B.呈指数规律增加
C.无规律
D.线性减少
A.热缺陷
B.杂质缺陷
C.非化学计量缺陷
D.A+B+C
A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.A+B+C
A.结构相同是无限固溶的充要条件
B.结构相同是无限固溶的必要条件,不是充分条件
C.结构相同是有限固溶的必要条件
D.结构相同不是形成固溶体的条件
A.稳定晶格
B.活化晶格
C.固溶强化
D.A+B+C
A.正离子空位
B.间隙负离子
C.负离子空位
D.A或B
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