当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（），粘度（）。

单项选择题当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（），粘度（）。

A.降低；增加
B.不变；降低
C.增加；降低
D.增加；不变

1.单项选择题当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（），粘度（）。

A.降低；增加
B.不变；降低
C.增加；降低
D.增加；不变

2.单项选择题硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（）因素的影响。

A.组成
B.温度
C.时间
D.A+B+C

3.单项选择题位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（）。

A.螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移
B.刃位错只作滑移，螺位错只作攀移
C.螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移
D.螺位错只作滑移，刃位错只作攀移

4.单项选择题位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。

A.位错不一定是直线
B.位错是已滑移区和未滑移区的边界
C.位错可以中断于晶体内部
D.位错不能中断于晶体内部

5.单项选择题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（）。

A.间隙和空位质点同时成对出现
B.正离子空位和负离子空位同时成对出现
C.正离子间隙和负离子间隙同时成对出现
D.正离子间隙和位错同时成对出现

6.单项选择题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。

A.正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
B.正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
C.正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
D.正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加

7.单项选择题位错的滑移是指位错在（）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。

A.外力
B.热应力
C.化学力
D.结构应力

8.单项选择题间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（）。

A.杂质质点大小
B.晶体（基质）结构
C.电价因素
D.A+B+C

9.单项选择题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（）。

A.线性增加
B.呈指数规律增加
C.无规律
D.线性减少

10.单项选择题按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。

A.热缺陷
B.杂质缺陷
C.非化学计量缺陷
D.A+B+C