8086的准备就绪信号READY是（）。

单项选择题8086的准备就绪信号READY是（）。

A.输入信号，当READY=L（低电平）时，CPU将插入等待周期TW
B.输入信号，当READY=H（高电平）时，CPU将插入等待周期TW
C.输出信号，当READY=H（高电平）时，CPU将插入等待周期TW
D.输出信号，当READY=L（低电平）时，CPU将插入等待周期TW

1.单项选择题在8086系统中，物理地址与逻辑地址是（）。

A.物理地址为20位，逻辑地址为16位
B.物理地址为20位，逻辑地址为20位
C.物理地址为16位，逻辑地址为20位
D.物理地址为16位，逻辑地址为16位

2.单项选择题采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯片的地址线条数为（）。

A.14
B.7
C.9
D.10

3.单项选择题一个SRAM芯片，有14条地址线和8条数据线，问该芯片最多能存储ASCII码字符的个数为（）。

A.16384
B.32768
C.256

4.单项选择题一个EPROM芯片，容量为32Kx8，除电源和地外，引脚数至少为（）。

A.16
B.24
C.26

5.单项选择题以下叙述中，不正确的是（）。

A.半导体存储器包括RAM和ROM
B.Flash存储器是非易失性的
C.Cache是高速缓存
D.EPROM使用电擦除方式

6.单项选择题下列指令中格式错误的是（）

A.MOVBL，BH
B.MOVDS，BLOCK[SI+BX]
C.MOVCS，2000H
D.INAL，DX

7.单项选择题8086/8088在基址加变址的寻址方式中，基址、变址寄存器分别为（）。

A.AX或CX、BX或CX
B.BX或BP、SI或DI
C.Sl或BX、DX或SI
D.DX或DI、CX或SI

8.单项选择题8086/8088存储器写周期中，数据开始的状态是（）。

A.Tl
B.T2
C.T3

9.单项选择题设8086/8088CPU时钟为5MHz，在访问外设时若在插入2个等待状态后，READY才有效，则该总线周期需要的时间为（）。

A.0.8s
B.5s
C.ls
D.1.2s

10.单项选择题在8086最小模式下，执行“INAL，n”指令时，M/IO#、WR#、RD#的信号电平依次为（）。

A.0、0、l
B.0、三态、0
C.0、1、0
D.l、l、0