A.磁滞损耗、铜阻损耗、涡流损耗;
B.磁滞损耗、铜阻损耗、介电损耗;
C.铜阻损耗、涡流损耗、介电损耗;
D.磁滞损耗、涡流损耗、介电损耗;
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A.初级变压器的匝数
B.次级变压器的匝数
C.初级变压器的匝数和
D.次级变压器的匝数和
A.Ac
B.Ad
C.Ae
D.Asec
A.Ac
B.Ad
C.Ae
D.Asec
A.越大越好;
B.越小越好;
C.有一定的范围;
D.无所谓;
A.放大
B.抗干扰
C.延时
D.转换
A.GTO和GTR;
B.TRIAC和IGBT;
C.MOSFET和IGBT;
D.SCR和MOSFET;
A.149.2℃;
B.79.2℃;
C.70℃;
D.102℃;
A.选用低导通电阻的驱动管;
B.提高驱动管的驱动信号的边沿陡度;
C.提高开关频率;
D.A和B及减小开关频率;
A.限流
B.储能
C.阻止电流变化
D.瞬间储能
A.输入整流管
B.输出整流管
C.电压瞬变抑制管
D.信号检波管
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