绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

MOS管阈值电压的单位是eV。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。