绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

第一块集成电路发明于（）年。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。