最新试题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题