P型衬底材料的MOS管栅极加正向偏压时，沟道中产生空穴耗尽。

判断题P型衬底材料的MOS管栅极加正向偏压时，沟道中产生空穴耗尽。

1.判断题在场效应晶体管内部，正常工作时有两种载流子在起关键作用。

2.判断题MESFET属于金属-半导体型场效应晶体管。

3.判断题N沟增强型MOS场效应晶体管的工作载流子是电子和部分空穴。

4.判断题MOS的输出特性曲线是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线，当电压大于某一个数值时，电流才会随着电压的增加而逐渐增大。

5.判断题N沟耗尽型MOS的转移曲线中，电流随着电压绝对值的增加而增大。

6.判断题可以用半导体材料的费米势的大小来衡量其杂质掺杂浓度高低。

7.判断题功函数是真空能级与费米能级之间的波函数。

8.判断题集成电路中最基本又最核心的器件是金属-绝缘体-半导体型场效应晶体管，而最普遍又最常见的器件是PN结。

9.判断题当半导体的表面势略大于其费米势时，开始进入强反型状态。

10.判断题一般的MOS管的输出特性曲线可以分为三个区，即可调电阻区、饱和工作区和击穿工作区。