判断题可以用半导体材料的费米势的大小来衡量其杂质掺杂浓度高低。
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1.判断题功函数是真空能级与费米能级之间的波函数。
8.判断题电子亲合力是真空能级与导带底的差值。
9.多项选择题关于pn结空间电荷区的说法正确的有()。
A.宽度大约几百个微米
B.其宽度与外加偏置电压大小有关
C.反向偏置宽度增大
D.正向偏置宽度增大
E.内部存在着热平衡载流子
F.与p区和n区相比最容易失效
10.多项选择题pn结正向偏置时,下列说法正确的有()。
A.p区向n区扩散空穴
B.n区向p区扩散电子
C.p区进入n区的空穴多于n区进入p区的空穴
D.n区进入p区的电子多于p区进入n区的电子
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理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
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1947年,()等人制造了第一个晶体管。
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P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
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“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
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