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A.宽度大约几百个微米
B.其宽度与外加偏置电压大小有关
C.反向偏置宽度增大
D.正向偏置宽度增大
E.内部存在着热平衡载流子
F.与p区和n区相比最容易失效
A.p区向n区扩散空穴
B.n区向p区扩散电子
C.p区进入n区的空穴多于n区进入p区的空穴
D.n区进入p区的电子多于p区进入n区的电子
A.p区向n区扩散空穴
B.n区向p区扩散电子
C.p区向n区漂移电子
D.n区向p区漂移空穴
E.p区不断地向n区扩散原子
A.p区边界电子浓度为零
B.n区边界空穴浓度为零
C.p区边界少子浓度为零
D.n区边界少子浓度为零
E.空间电荷区本征载流子浓度为零
F.空间电荷区载流子浓度为零
A.合金法
B.扩散法
C.离子注入法
D.外延生长法
A.pn结各处具有统一的费米能级
B.p区本征费米能级高于n区本征费米能级
C.p区各能带高于n区
D.n区费米能级高于p区
A.pn结空间电场区加宽
B.pn结空间电荷区缩窄
C.pn结不导电
D.pn结处于反向截止状态
A.p区多子是空穴
B.n区少子是空穴
C.平衡后p区边缘带负电
D.平衡后n区边缘带正电
A.光伏组件
B.U盘存储器
C.光盘
D.USB充电线
E.英特尔i7型CPU
最新试题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。